Транзисторы отечественные биполярные
Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза
Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный.
Транзистор - это полупроводниковое устройство, которое используется во многих электронных приложениях. Транзисторы в основном используются в двух формах: в качестве переключателя или в качестве усилителя. Транзистор может выступать в качестве усилителя и переключателя. Он имеет три полупроводниковых элемента: основание, коллектор и эмиттер. Не путайте имена. Они исходят из их внутренней структуры и не имеют никакого отношения к их фактической функции.
Транзистор: полупроводниковое электронное устройство, которое подает выходной сигнал в ответ на входной сигнал. Он выполняет функции усилителя, генератора, переключателя или выпрямителя. Это может быть: - точечный контактный транзистор - биполярный переходный транзистор - полевой транзистор - фототранзистор.
К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт
Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.
Типы корпусов зарубежных и отечественных транзисторов |
Корпус - это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями.
Эта вводная работа представляет принципы электроники комплексным и последовательным образом при работе с аналогами и цифровыми схемами в одной книге. Особенностью, которая делает ее уникальной, является ее подход к системам, который позволяет лучше понять и повысить мотивацию, которая. Ток управляется электронами и дырками, и, следовательно, его название происходит от биполярного.
Микроэлектронные схемы. Один из них относится к общему равновесию тела под статикой или остальным. Проблема состоит из двух частей: чистое действие запрашивающих сил является предметом, соответствующим графическому статическому, в соответствии с часто используемым наименованием. Другая часть, которая вводит развитые силы внутри твердого тела и неизбежные деформации этого, возникла в результате применения прилагаемых сил, равновесие между обеими системами сил - это Сопротивление материалов. Его целью является анализ необходимых и достаточных условий, в которых должен выполняться набор сил, действующих на твердое твердое предположение, чтобы сохранить его неподвижным относительно другого тела, которое обычно является землей.
Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей.
Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.
Статические фундаментальные операции. Графический состав сил. Графические условия равновесия. Аналитический состав сил. Аналитические условия равновесия. Разложение и баланс сил. Статический момент поверхностей. Тяговые и простые тесты сжатия. Гипотеза сопротивления материалов. Простое сцепление и понимание. Моменты инерции плоских поверхностей. Знание вашей среды - это ключ к развязыванию самого мощного решения, которое упростит вашу жизнь как администратора и покажет вам путь к новым высотам.
Электроника - диоды, транзисторы и усилители обращаются к основным предметам базовой электроники или общей электроники для курсов технического уровня. Предоставляет обзор электронных устройств и схем, которые представлены на понятном и понятном языке.
Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, - коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса.
Его графический дизайн был полностью переработан, чтобы сделать книгу еще более дидактичной и объективной, и гораздо более красивой. Настоящий подарок к Техническому обучению электроники. Цепи с диодами. Глава Диоды для специальных применений. Глава Биполярные переходные транзисторы.
Глава Основы транзистора. Глава Схема смещения транзисторов. Усилители напряжения. Усилители мощности. Математические демонстрации. Он написал 10 учебников, переведенных на более чем 20 языков. Инструктор Бейтс на кафедре электронных технологий в Техническом колледже Западного Висконсина в Ла-Кроссе, штат Висконсин.
Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора.
Логические схемы с биполярными транзисторами. Материалы можно классифицировать по удельному сопротивлению в трех группах: проводниках, изоляторах и полупроводниках. Проводимость в этих металлах обеспечивается электронами. Изоляционные материалы характеризуются высоким удельным сопротивлением при сопротивлении 0 К, что еще больше возрастает. В отличие от вышеупомянутых материалов полупроводниковые материалы имеют среднее удельное сопротивление по сравнению с двумя типами материалов. Полупроводниковые свойства имеют особенно четырехвалентные элементы, такие как германий и кремний, характеризующиеся средними значениями энергии извлечения валентных электронов.
В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной - цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной - цепь эмиттера.
Проводимость полупроводников определяется двумя видами подвижных носителей: электронами - отрицательными и положительными - пустотами. Их удельное сопротивление может быть уменьшено различными способами, что приводит к увеличению проводимости. Транзисторы - полупроводниковые устройства с тремя электродами. Эти электроды подключаются к трем различным полупроводниковым областям проводимости того же полупроводникового кристалла. Использование транзисторов вместо электронно-лучевых трубок имеет следующие преимущества: - более длительное время работы; - эффективность работы выше; - малый размер и малый вес; - требуется меньшее напряжение питания.
Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление.
В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.
Существуют также некоторые недостатки, такие как влияние температуры на функциональные особенности. Транзисторы могут использоваться для построения электрических усилителей сигнала, модуляторов и демодуляторов сигналов для реализации энергетических преобразований, генерации колебаний, выпрямляющих схем, определения концентраций химических веществ в газах или жидкостях для построения логических схем. Основными технологиями построения транзисторов являются биполярная технология и полевые технологии.
С точки зрения конструктивного типа существуют различные биполярные транзисторы, полевые транзисторы и одноканальные транзисторы. Биполярный транзистор На биполярном транзисторе проводимость обеспечивается проводящими электронами с отрицательными нагрузками и пустотами с положительными нагрузками, т.е. двумя типами нагрузок с противоположными знаками.
Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.
В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт.
Три клеммы внутренне связаны с каждой из трех полупроводниковых областей транзистора. Для удовлетворения этих условий биполярные транзисторы сконструированы с толщиной основания около 1 микрометра и слабо легированы кремниевыми биполярными транзисторами. Первая диффузия. можно классифицировать природу полупроводника, из которого они сделаны. Одним из условий, которые необходимо выполнить для достижения эффекта транзистора, является следующее: ширина основания должна быть намного меньше, чем длина диффузии биполярных транзисторов высокого напряжения.
В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному--обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.
Последний вариант - обратная поляризация эмиттерного перехода и прямая поляризация коллекторного перехода, называемый режимом. Прикладывая напряжение между затвором и источником, получается поперечное электрическое поле, которое определяет проводимость канала. Если соединение базового эмиттера поляризовано напрямую, а соединение коллектор-база поляризовано, рабочий режим называется нормальным. рабочий режим называется насыщенным. По этой причине полевые транзисторы также называются однополярными транзисторами.
Таким образом, база пропускает поток пробелов. проводимость обеспечивается только транспортом большинства несущих грузов. активный реверс. Полевые транзисторы имеют три контакта: дренаж в коллектор, где разность потенциалов способствует прохождению электронов в коллектор. где напряженность мала.
Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE - размер файла 16 МБ. AMD - размер файла 15 МБ. ATMEL - размер файла 30 МБ. CATALYST - размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK - размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS - размер файла 44 МБ.
Транзистор блокируется, так как токи малы, оба соединения блокируются. На концах р-канала имеются две области, более сильно легированные донорскими примесями, чем канал. И коэффициент усиления напряжения очень мал. Если подложка не внутренне связана с затвором, возможно иметь несколько вариантов поляризации. Переходы транзисторной структуры поляризованы назад, так что ток неосновных носителей практически нулевой. Проведение тока осуществляется через канал. Говорят, что транзистор работает путем слива.
Ионочувствительный слой действует как датчик. Это может быть диоксид кремния с другими текстурами. За исключением ионочувствительного слоя, все остальные части покрыты изоляционным пластиком. Между каналом и исходной областью существует область. Также присутствует слой оксида кремния.
Справочник электрика. В. И. Григорьев. 2004 г.
Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.
Преимущество этих транзисторов заключается в увеличении рабочей частоты из-за отсутствия характерной емкости затвора. Изоляционный слой выполнен из диоксида кремния, внутри которого выполнен поликристаллический кремниевый затвор. Эмиттер и коллектор соединены с помощью металлических пластин. Комбинируя два типа транзисторов, получается транзистор с высокой скоростью переключения. Этот транзистор не играет роли усиления. Эти схемы в основном используются в релаксационных цепях. Как и другие типы транзисторов, клеммы соединены с помощью металлических разновидностей биполярного транзистора в качестве переключателя.
Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 1. Хрулев А. К., Черепанов В. П.
В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов - выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.
Однопоточные транзисторы состоят из легированного кремниевого стержня с донорскими примесями, за исключением части, расположенной примерно на полпути между концами стержня, которая загрязнена акцепторными примесями, что приводит к площади р-типа. Транзисторная биполярная поляризация Поскольку биполярный транзистор обычно работает так же, как четырехугольник, и два входа и два выходных клеммы. тока или напряжения.
Он поляризует полевые транзисторы. Используя мощность некоторых источников питания. Усилители А усиливают сигнал, чтобы увеличить мгновенные значения напряжения или интенсивности без изменения изменения со временем этих размеров. тем лучше усилитель. определяется отношением напряжения входного сигнала к выходному сигналу или между интенсивностью входного сигнала и силой выходного сигнала. -Устойчивость работы усилителя относится к оптимальной работе усилителя, который под действием внешних или внутренних факторов может самовосстанавливаться. - Частотные усилители.
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное пособие. Том 2. Садченков Д. А.
Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.
Чтобы избежать автостимуляции. По размеру входного сигнала. - чувствительность усилителей к внешним шумовым воздействиям относится к влиянию внешних факторов на работу усилителя. - количество усиления. Чрезмерный внутренний шум предотвращает усиление малых сигналов. Для ограничения этого влияния используются различные схемы. Две формы волны более похожи. Классификация усилителей может быть выполнена по нескольким критериям: частота сигналов. Усилителями могут быть: - Малые усилители сигнала. Усилители постоянного тока могут усиливать напряжения и токи со случайным изменением. из-за работы электронных компонентов, которые имеют собственный шум.
Маркировка радиодеталей отечественных и зарубежных. Справочное пособие. Том 1. Садченков Д. А.
При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.
Транзисторы отечественные биполярные
Фактически, в усилителях форма сигнала выходного сигнала слегка изменяется от входного сигнала. Усилители переменного тока классифицируются в соответствии с частотной областью сигналов в: - усилителях звуковой частоты. Источник питания должен быть стабилизирован. Диаграмма пола приведена на рисунке. Этап усиления состоит из одного или двух транзисторов. - многоступенчатые усилители. Они являются наиболее распространенными стадиями амплификации с дискретными компонентами. Производительность пола в значительной степени зависит от работы транзистора и, следовательно, должна быть обеспечена стабильность статической точки.
Зарубежные транзисторы и их аналоги. Петухов В.М. Справочник-каталог. Том 1
В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.
Тиристоры и их зарубежные аналоги. Справочник. Черепанов В. П., Хрулев А. К. 2002г.
Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002
Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппаратуры. Справочник 1992г.
Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.
Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник.
В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.
Микросхемы АЦП и ЦАП. Справочник 2005г.
Цель издания настоящего справочника из серии "Ин тегральные микросхемы" - предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение - частота (ПНЧ) и частота - напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника "Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа", вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.
